(资料图片)
近日,记者获悉,作为汽车动力系统技术年会(TMC2023)的平行论坛,车规级功率半导体及应用技术论坛将于7月13日-14日在青岛召开。预计本次平行论坛将有多达20余场报告,涵盖材料、封装、应用和技术趋势4大板块。
Yole将介绍全球Si IGBT,SiC MOSFET和模块技术趋势,同时分析Tesla降低75%的SiC用量及全球多家知名车企主驱逆变器方案解析。
安森美将结合现有车用电驱动的寿命需求来阐述Si和SiC在AGQ324中测试的差异及SiC芯片和模块的银烧结与高温要求。
复旦大学张清纯教授将通过介绍SiC MOSFET沟道及元胞设计与高可靠性、高雪崩能力终端设计来降低成本及可能带来的性能改变。
士兰微将带来最新的1200V Si IGBT及SiC MOS与模块创新技术分享。
此外,来自一汽集团,现代汽车,国创中心,阳光电动力,上海电驱动,上海磁雷革,中车时代半导体,三安半导体,绍兴中芯,Boschman,忱芯科技,能芯半导体,合肥工业大学等半导体、整车企业与院校嘉宾将对车规级功率半导体创新技术与应用进行分享。
据了解论坛是汽车行业目前举办的唯一聚焦主驱逆变器功率半导体技术的论坛。论坛将充分发挥TMC多年深耕新能源汽车动力系统的品牌影响力和资源优势,汇集政府、全球整车、动力系统、电机电控、功率半导体企业、高校和研究机构,深入探讨车规级功率器件及SiC功率模块的技术发展及产业链协同问题。